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市2孙立它是由于激发光电子经受周围原子的多重散射造成的。近日,工作王海良课题组利用XANES等先进表征技术研究富含缺陷的单晶超薄四氧化三钴纳米片及其电化学性能(Adv.EnergyMater.2018,8,1701694),如图一所示。
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