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近日，齿轮齿条德国柏林工业大学MarioDähne、齿轮齿条NorbertEsser和明斯特威廉大学FrankGlorius（共同通讯作者）基于扫描隧道显微镜(STM)、密度泛函理论(DFT)和X射线光电子能谱(XPS)研究了NHC单分子层在Si（111）上的生长，并证明NHCs与Si通过单个Si-C键表面结合。机大解决这些显著差异表明与不同侧基相关的空间特性是如何影响单层的有序度。风机方案（b）在硅表面未被探究的NHCs。

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（c）单个IPr分子和Si-Si（S5）缺陷，黄文以及局部有序的IPr分子的分布。

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